RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
36
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.4
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2497
3809
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link