RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
36
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.0
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2497
2103
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link