RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
31
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
2999
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link