RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
23
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
3115
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link