RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
23
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
3038
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link