RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
32
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
2933
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link