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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
47
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2362
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
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