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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs AMD R534G1601U1S 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
AMD R534G1601U1S 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
68
Rund um 46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
6.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
4.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R534G1601U1S 4GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
37
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
6.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
4.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
12800
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
1209
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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