RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
15.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3519
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link