RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
37
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2946
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link