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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
37
Rund um -95% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
14.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3290
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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