RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
41
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
14.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2176
3525
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link