RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
41
Rund um -141% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.6
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.7
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
21.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
17.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2176
3702
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link