RAM-Vergleich Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Gesamtnote

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

26 28

Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

18.2 12.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

17.3 7.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 8500

Rund um 2.51 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1988 3938

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns