RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3437
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link