RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3058
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link