RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
11.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2930
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link