RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
31
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
15.5
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3614
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link