RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
17.2
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3840
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link