RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
63
Rund um 56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
63
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
7.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2162
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link