RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
35
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
13.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
3278
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link