RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
35
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
13.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
3437
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link