RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
35
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.7
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
15.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
3473
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link