RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
39
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
3199
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link