RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
99
Rund um 61% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
99
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
6.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
1499
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M391B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation William Hemmens 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link