RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
56
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.9
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
17.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
3983
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 99U5471-021.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link