RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
56
Rund um -115% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
17.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
4022
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KM9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link