RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
56
Rund um -115% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
15.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
3648
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link