RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
56
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
14.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
3474
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link