RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
27
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2275
2809
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link