RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs AMD R948G3206U2S 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
AMD R948G3206U2S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
36
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R948G3206U2S 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3320
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link