RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
26
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.3
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
15.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3327
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link