RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
32
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2399
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link