RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
35
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2571
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link