RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
26
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3512
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link