RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
24.4
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.7
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
24.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
19.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
4300
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link