RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
46
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2936
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M392B1G73BH0-YK0 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link