RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
53
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2310
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link