RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
15.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
3711
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link