RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
49
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
14.0
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
3420
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link