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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Kllisre D4 8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Kllisre D4 8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kllisre D4 8G 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
49
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
6.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
2143
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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