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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
51
Rund um -122% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3130
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
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