RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
49
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2901
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link