RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
49
Rund um -123% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
3024
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Corsair CM3B8G2C1600L9L 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link