RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
49
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.7
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
22.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
3861
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO 5641152 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link