RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
71
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
1902
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link