RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
66
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
9.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
1934
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link