RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
52
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
2703
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Teikon TMT251U6CFR8C-PBHC 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link