RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
52
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
2854
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link