RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
44
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3563
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link